Des travaux, dont les résultats ont été publiés dans la revue Nanoscale, ont abouti à la construction d'un transistor de taille nanométrique, véritablement en 3D, dont le comportement exceptionnel provient de son architecture originale composée d'un réseau vertical de nanofils dont la conductivité est contrôlée par une grille de seulement 14 nm de longueur.

Cette réalisation ouvre la voie à des alternatives aux structures planaires des microprocesseurs et des mémoires actuels, les transistors 3D permettant d'accroître de façon considérable la puissance des dispositifs microélectroniques. En outre, un atout important de ces composants est que leur fabrication est relativement simple et ne nécessite pas de procédés lithographiques de haute résolution.